3D NAND 是最新的快閃記憶體技術(shù)，顯著提高了每個(gè)單元的性能和容量。 2D NAND 構(gòu)建了一個(gè)扁平的單層單元結(jié)構(gòu)，而 3D NAND 則利用了立體空間，構(gòu)建了一個(gè)垂直結(jié)構(gòu)，目前批量的層結(jié)構(gòu)達(dá)到了232層。
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